Secondo quanto annunciato recentemente, Intel Foundry ha presentato sviluppi rivoluzionari nel campo dei transistor e delle tecnologie di packaging. Intel Foundry รจ stata anche la prima a segnalare un miglioramento del throughput di 100 volte utilizzando una soluzione di integrazione eterogenea per il packaging avanzato, per consentire un assemblaggio chip-to-chip ultra-veloce. Per favorire ulteriormente la scalabilitร del gate-all-around (GAA), Intel Foundry ha dimostrato di aver lavorato con il CMOS RibbonFET al silicio e con il modulo di ossido di gate per i FET 2D scalati per migliorare le prestazioni del dispositivo. Mentre il settore si dirige verso l’inserimento di 1.000 miliardi di transistor in un chip entro il 2030, i progressi nella scalatura dei transistor e delle interconnessioni, moltiplicati dalle future capacitร di packaging avanzato, sono fondamentali per soddisfare l’infinita richiesta di applicazioni di elaborazione piรน efficienti dal punto di vista energetico, ad alte prestazioni ed economiche, come l’intelligenza artificiale.
L’industria avrร inoltre bisogno di un ulteriore supporto sotto forma di nuovi materiali per incrementare l’erogazione di potenza posteriore PowerVia di Intel Foundry per alleviare l’affollamento delle interconnessioni e per continuare a scalare, il che รจ fondamentale per continuare a rispettare la Legge di Moore e per far avanzare i semiconduttori verso nuove ere per l’IA. In occasione della conferenza, Intel Foundry ha anche illustrato la sua visione del futuro del packaging avanzato e della scalatura dei transistor per soddisfare le esigenze di tutte le applicazioni, compresa l’IA. Sono stati identificati tre punti chiave per l’innovazione che contribuiranno a guidare il prossimo decennio verso un’IA piรน efficiente dal punto di vista energetico.
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