Il Kirin 9000S che ha permesso a Huawei di liberarsi dal divieto commerciale degli Stati Uniti è stato prodotto in serie con la tecnologia a 7 nm (N+2) di SMIC, mentre l’azienda ha mantenuto il suo slancio con il Kirin 9010 che si trova nella serie Pura 70. Per la gamma Mate 70, le indiscrezioni si sono diffuse in più direzioni, con sussurri che sostenevano che l’ex gigante cinese avrebbe utilizzato il processo a 5 nm di SMIC, che il produttore di semiconduttori avrebbe sviluppato con successo. Tuttavia, sembra esserci una svolta nei piani di Huawei: un’indiscrezione afferma che il prossimo SoC Kirin che alimenterà la serie Mate 70 sarà prodotto in serie con il processo N+3 di SMIC, che vanta una maggiore densità rispetto alla variante N+2.
In precedenza si era detto che la serie Mate 70 non sarebbe passata al processo a 5 nm di SMIC, mentre il Kirin 9100 sarebbe stato mantenuto a 7 nm. Sebbene ciò sembri incredibilmente deludente, è probabile che la decisione sia dovuta a motivi pratici, supponendo che Huawei abbia già preso la sua decisione. Produrre in massa wafer da 5 nm con i vecchi macchinari DUV invece che con quelli EUV significa che i costi di produzione saranno elevati e i rendimenti bassi.
In breve, il costo di ogni wafer da 5 nm che esce dal sito di produzione di SMIC sarà molto elevato, quindi Huawei probabilmente ritiene che i costi non giustifichino l’utilizzo di questa tecnologia per i suoi chipset per smartphone. Questa battuta d’arresto significa che il Kirin 9100 potrebbe essere fabbricato con il processo a 7 nm, ma utilizzando il nodo N+3, potrebbe vantare una densità maggiore rispetto al Kirin 9010 e al Kirin 9000S. Questo miglioramento significa che il Kirin 9100 potrà vantare un numero maggiore di transistor, con conseguente miglioramento delle “prestazioni per watt” e dell’efficienza energetica.
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